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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
9.8
14.2
写入速度,GB/s
7.2
9.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
2470
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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