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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
62
左右 35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
62
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
7.8
6.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
1586
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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