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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
46
读取速度,GB/s
11.4
16.1
写入速度,GB/s
7.7
15.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2973
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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