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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 43
    左右 -95% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1823 left arrow 3182

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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