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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
43
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
34
读取速度,GB/s
11.4
13.7
写入速度,GB/s
7.7
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2337
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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