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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kllisre 0000 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Kllisre 0000 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Kllisre 0000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
49
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 0000 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kllisre 0000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
49
读取速度,GB/s
11.4
10.9
写入速度,GB/s
7.7
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2220
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
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