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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Maxsun MSD44G24Q3 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
47
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.5
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
32
读取速度,GB/s
10.4
10.5
写入速度,GB/s
7.8
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2214
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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