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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Maxsun MSD48G32Q3 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
94
左右 54% 更低的延时
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
94
读取速度,GB/s
11.4
13.5
写入速度,GB/s
7.7
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2771
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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