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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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规格
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
43
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
36
读取速度,GB/s
11.4
14.9
写入速度,GB/s
7.7
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2589
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
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