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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 43
    左右 -54% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 11.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.9 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 11.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1823 left arrow 2948

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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
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