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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
比较
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.5
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
11.5
11.3
写入速度,GB/s
7.7
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
1793
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre 8GB
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