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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB

Puntuación global
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AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.5 left arrow 11.3
    Valor medio en las pruebas
AMD R538G1601S2LS 8GB Razones a tener en cuenta
AMD R538G1601S2LS 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 44
    En -57% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.5 left arrow 11.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.7 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1927 left arrow 1793

Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

AMD R538G1601S2LS 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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