RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Compara
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Puntuación global
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
52
Velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3067
2306
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5471-021.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston 9905428-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link