RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
52
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
52
Velocità di lettura, GB/s
18.2
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.5
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3067
2306
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link