RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
52
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
2306
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link