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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
15.3
15.5
写入速度,GB/s
9.8
8.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2319
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
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