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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
15.3
17.2
写入速度,GB/s
9.8
16.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3225
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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