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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.9
16.9
写入速度,GB/s
8.7
13.8
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3285
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
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