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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
49
周辺 -69% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.9
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
8.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
29
読み出し速度、GB/s
10.9
16.9
書き込み速度、GB/秒
8.7
13.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2427
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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