RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
49
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3285
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link