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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
15.3
15.5
写入速度,GB/s
9.8
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2962
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-141.A00G 16GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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