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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
8.9
6.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
31
48
读取速度,GB/s
6.6
8.9
写入速度,GB/s
3.6
5.9
内存带宽,mbps
8500
10600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
921
1420
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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