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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
63
左右 -110% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
30
读取速度,GB/s
3,231.0
14.6
写入速度,GB/s
1,447.3
12.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2770
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
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