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Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Kingston KP223C-ELD 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KP223C-ELD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
54
读取速度,GB/s
13.4
10.4
写入速度,GB/s
8.8
8.2
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2137
2259
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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