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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
15.3
17.6
写入速度,GB/s
9.8
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3687
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
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