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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
15.3
15.5
写入速度,GB/s
9.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
3131
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
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