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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
51
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
51
读取速度,GB/s
15.3
16.3
写入速度,GB/s
9.8
14.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2945
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Inmos + 256MB
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