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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
15.3
15.8
写入速度,GB/s
9.8
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2929
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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