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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
15.3
15.2
写入速度,GB/s
9.8
11.8
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2913
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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