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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
42
读取速度,GB/s
15.3
15.6
写入速度,GB/s
9.8
11.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2595
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Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
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