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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
40
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
26
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
8.9
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3715
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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