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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
11.6
16.9
写入速度,GB/s
5.6
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1751
3132
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
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