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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
16.1
16.3
写入速度,GB/s
10.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3132
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XF875V-HYA 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
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