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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
26
读取速度,GB/s
16.1
14.6
写入速度,GB/s
10.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3124
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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