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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
25
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
19
读取速度,GB/s
16.1
20.5
写入速度,GB/s
10.1
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3665
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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