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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
17.3
写入速度,GB/s
10.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3073
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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