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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
14.2
写入速度,GB/s
10.1
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2873
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
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