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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
17.6
写入速度,GB/s
10.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3635
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
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