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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
16.9
写入速度,GB/s
10.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3571
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 0000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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