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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
16.1
17.2
写入速度,GB/s
10.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3595
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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