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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
17.3
写入速度,GB/s
10.1
15.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3632
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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