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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
39
读取速度,GB/s
16.1
15.7
写入速度,GB/s
10.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2958
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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