Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

总分
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    25 left arrow 29
    左右 14% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.1 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    10.4 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    25 left arrow 29
  • 读取速度,GB/s
    16.1 left arrow 13.2
  • 写入速度,GB/s
    10.1 left arrow 10.4
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2764 left arrow 2595
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较