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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
16.1
14.0
写入速度,GB/s
10.1
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2519
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
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