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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
16.1
14.0
写入速度,GB/s
10.1
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2519
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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