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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
48
读取速度,GB/s
16.1
16.8
写入速度,GB/s
10.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2852
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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