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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
48
读取速度,GB/s
16.1
16.8
写入速度,GB/s
10.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2852
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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