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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
16.1
17.6
写入速度,GB/s
10.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3024
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
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