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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
64
读取速度,GB/s
16.1
16.2
写入速度,GB/s
10.1
7.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
1909
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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