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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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更快的读取速度,GB/s
19
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
16.1
19.0
写入速度,GB/s
10.1
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3402
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
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Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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