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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
18.5
写入速度,GB/s
10.1
15.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3431
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
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Kingston 9905630-007.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
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