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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905701-004.A00G 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
16.1
14.7
写入速度,GB/s
10.1
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2321
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
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